| Номер детали производителя : | W66BQ6NBUAGJ TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | W66BQ6NBUAGJ TR(1).pdfW66BQ6NBUAGJ TR(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | W66BQ6NBUAGJ TR |
|---|---|
| производитель | Winbond Electronics Corporation |
| Описание | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | W66BQ6NBUAGJ TR(1).pdfW66BQ6NBUAGJ TR(2).pdf |
| Время цикла записи - слово, страница | 18ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Поставщик Упаковка устройства | 200-WFBGA (10x14.5) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 200-WFBGA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 2Gbit |
| Организация памяти | 128M x 16 |
| Интерфейс памяти | LVSTL_11 |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 1.866 GHz |
| Базовый номер продукта | W66BQ6 |
| Время доступа | 3.5 ns |







IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA